米メモリ半導体企業Micronの最高経営責任者（CEO）が、米国内での大規模投資を前面に押し出し、Samsung ElectronicsとSK hynixを狙った差別化戦略に乗り出した。米政府が韓国半導体企業に対する標的関税の導入を示唆する中、Micronは自国でのメモリ生産施設投資という強みを際立たせ、競合他社への圧力を間接的に後押しする構図だ。
サンジェイ・メロートラCEOは最近のCNBCとのインタビューで「米国企業として米国に投資していることを非常に誇りに思う」と述べた。米国史上最大規模のメモリ工場と自負するアイダホ州ボイシの工場建設現場でインタビューに応じ、ヘルメットを着用して工事現場を視察する様子や、防塵服を着てR&Dクリーンルームを確認する写真を初めて公開した。
Micronはボイシに2つの大型工場を建設中だ。それぞれの工場はアメリカンフットボール場10個分の規模に相当する。メモリ需要が爆発的に増加する中、当初2027年下半期としていた第1工場の稼働時期を2027年半ばに前倒しし、第2工場は2028年末の稼働を目標としている。アイダホ州に続き、ニューヨーク州シラキュースとクレイにも最先端メモリ工場を建設中だ。
同社は米国全土に総額2,500億ドル（約39.1兆円）を投じてメモリ工場を同時多発的に建設している。Samsung ElectronicsとSK hynixに大きく劣る生産能力を挽回する戦略だ。現在、ボイシ工場の建設現場では約8,000人の建設作業員が働いている。
メロートラCEOは、米国がAIイノベーションを主導しているため、米ビッグテック顧客と緊密に連携できる点をMicron独自の強みとして挙げた。メモリを購入する主要顧客がすべて米ビッグテック企業である以上、米国現地に建設する自社メモリ工場が最大の競争力になるという主張だ。
同氏は「データセンター顧客は、当社が供給できる量より50%多いメモリを求めている」と述べ、2027年には今年よりメモリ供給がさらに逼迫するとの見通しも付け加えた。「米国より優れたイノベーションハブはない」と強調し、ボイシに100億ドル（約1.6兆円）規模のMicronリサーチ研究所も建設し、パートナーを一堂に集めると述べた。
標的関税圧力と連動する差別化戦略
Micronのこうした発言は、ハワード・ラトニック米商務長官がSamsung ElectronicsとSK hynixを狙って標的関税の導入を示唆したことと重なり注目されている。
ラトニック長官は今月2日、ノースカロライナ州チャペルヒルで開かれた主要20カ国・地域（G20）イノベーション相会合の際にCNBCに対し「（半導体分野で）標的化され、精緻な関税政策を導入する」と発言した。同長官は「TSMCはアリゾナに2,650億ドル（約41.4兆円）規模の半導体工場を、Micronは2,500億ドル規模のメモリ工場を建設する」とし、「米国で生産しない場合、世界最大の市場に入るために関税を支払う覚悟が必要だ」と警告した。
これは、高強度の関税打撃を避けるには、地域経済や雇用創出効果がより大きいメモリ前工程の生産施設も米国に建設せよという圧力と解釈される。Samsung Electronicsは米テキサス州にファウンドリ（半導体受託生産）工場を、SK hynixはインディアナ州に後工程にあたる先端パッケージング生産拠点を建設中だが、米国内でのメモリ工場投資計画はまだ明らかにしていない。
Micronは先月10日、米投資銀行キーバンク・キャピタル・マーケッツ主催のテクノロジー・リーダーシップ・フォーラムでも「米国内のメモリ前工程工場に投資する企業は当社だけだ」と強調した。スミット・サダナ最高事業責任者（CBO）は「Samsung Electronicsの米国投資はメモリではなくロジックファウンドリに集中しており、SK hynixの投資もパッケージング施設だ」とし、「Micronが米国で生産したメモリは価格プレミアムを得ることになる」と述べた。
SK hynixは先月27日、インディアナ州の先端パッケージング工場の起工式で、郭魯正（クァク・ノジョン）社長が「今後も米国での投資と協力を継続的に拡大していく」と述べ、追加のメモリ工場投資の可能性を開いた。Samsung Electronicsはテキサス州テイラーのファウンドリ第2工場の増設計画を公式化したが、米政権が求めるメモリ工場投資計画は明らかにしていない。
企業米国内投資規模主要拠点投資分野メモリ前工程TSMC2,650億ドル（約41.4兆円）アリゾナファウンドリ（ロジック）該当なしMicron2,500億ドル（約39.1兆円）アイダホ州ボイシ、ニューヨーク州シラキュース・クレイメモリ前工程（DRAM・HBM）○Samsung Electronics非公開（テイラー第2工場増設のみ公式化）テキサス州テイラーファウンドリ（ロジック）×SK hynix非公開インディアナ後工程（先端パッケージング）×
注：ラトニック長官は今回のインタビューで「TSMC・Micronの2社の投資だけでも合計5,000億ドル（約78.1兆円）を超える」とし、米政府が確保した半導体関連の総投資確約規模が1.2兆ドル（約187.5兆円）に達すると明らかにした。
Micronの米国投資拡大は、HBM市場での追い上げ戦略とも連動している。市場調査会社カウンターポイント・リサーチによると、今年第2四半期のSamsung Electronicsの世界HBM市場売上シェアは33%となり、前期の21%から12ポイント上昇した。同期間にSK hynixは58%から50%へ8ポイント低下し、両社のシェア格差は第1四半期の37ポイントから第2四半期は17ポイントへと半分以下に縮まった。
Micronの第2四半期HBMシェアは18%で前期より3ポイント低下したが、年末までにHBM生産能力をウェハ基準で月10万枚前後まで引き上げる計画だ。昨年の月4万〜5万枚水準と比較すると2倍近い規模になる。台湾とシンガポールの生産拠点にHBM製造装置を投入しており、年末にはHBM4 12段の比率も最大50%水準まで高める見通しだ。同調査はMicronの第2四半期DRAM売上が前年同期比5倍に増え、SK hynixを抜いて2位に浮上する可能性も提起した。
今後のHBM競争の中心はHBM4へ移行する見通しだ。HBM4はNvidiaの次世代AIアクセラレーター「ベラ・ルービン」などに搭載される中核メモリで、AIアクセラレーターの性能競争が激化するほど需要も急速に拡大すると予想される。李在鎔（イ・ジェヨン）Samsung Electronics会長と崔泰源（チェ・テウォン）SKグループ会長は、今月28日に米ニューヨークで開かれるコリア・ソサエティ年次晩餐会に出席し、ジェンスン・フアンNvidia CEOをはじめとする主要ビッグテック経営陣と会う予定と伝えられている。
今回の行事は、フアンCEOが韓米協力強化に貢献した功績でバン・フリート賞を受賞する場だ。ただし、Samsung ElectronicsとSK hynixがNvidiaの中核HBM供給企業であるだけに、単なる祝賀を超えてAIメモリや次世代製品の協力拡大策が議論される可能性が高い。
汎用DRAMで高まる中国の存在感
HBMで韓米企業が生産能力競争を繰り広げる中、汎用DRAMでは中国の長鑫存儲（CXMT）の存在感が増している。CXMTの第2四半期の世界DRAM市場売上シェアは10%となり、初めて2桁に乗せた。2023年に1%未満だったシェアは、昨年第2四半期に4%、今年第1四半期に8%を経て、第2四半期には10%まで上昇した。
これにより、Samsung Electronics・SK hynix・Micronの既存3社の合算シェアは1年間で94%から87%に低下した。CXMTは現在月30万枚水準のDRAM生産能力を、2028年までに最大60万枚に拡大する方針を進めている。低電力DRAMなど高付加価値製品の供給を拡大する一方、HBM3Eの量産も準備しており、中長期的には先端メモリ市場でも追撃に乗り出す可能性がある。
世界メモリ市場は既存の3強体制から脱し、HBMと汎用DRAMそれぞれで競争の軸が急速に多様化している。Samsung ElectronicsはHBMシェア回復を通じてSK hynix追撃に乗り出し、Micronは増産と米国内投資で供給能力の格差を縮めている。そこにCXMTまでが汎用DRAMを基盤に規模を拡大しており、競争は一層複雑化している。
今後の鍵は、HBM4への移行過程で誰が主要ビッグテック顧客の供給量を先に確保するかだ。特にNvidiaを中心に次世代AIアクセラレーターのサプライチェーンが再編される中、Samsung ElectronicsとSK hynixが現在の技術力と生産能力を実際の長期供給契約やシェア拡大につなげられるかが、今後のメモリ市場の行方を左右するとみられる。同時に、米政府の標的関税圧力が現実化した場合、米国内にメモリ前工程工場を持つMicronの戦略的優位がさらに際立つ可能性も排除できない。
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