
2023年6月29日、上海で開催された半導体産業の見本市で撮影。REUTERS/Nicoco Chan/File Photo
[北京 5日 ロイター] – 中国の主要半導体企業の幹部らは、2026─30年に実用的な露光装置(リソグラフィー装置)を開発するため、国家主導の協調的な取り組みが必要だと訴えた。技術面での自立を強めようとする中国の方針を改めて強調した形だ。
北方華創科技集団(002371.SZ), opens new tab、長江存儲科技、華大九天科技(301269.SZ), opens new tabのトップらは、中国の主要半導体研究機関と共同で論文を執筆し、5日までにオンラインで公表した。
論文では、政府が国家資源を結集し、各機関の技術的成果を統合するよう求めた。
論文では「露光装置を例に取ると、オランダのASMLの極端紫外線(EUV)装置は10万点の部品で構成され、約5000社のサプライヤーが関与している。ASMLはその統合を担っているにすぎない」と指摘した。
ASMLは最先端半導体の製造に不可欠なEUV露光装置を供給する世界唯一の企業で、スマートフォンや人工知能(AI)、先端計算機向けチップの生産に欠かせない。
幹部らは「『中国版ASML』をどのように構築するかが重要な課題だ。資金や人材を統合的に配分するため、関係部門は早急に実行計画を策定する必要がある」と指摘した。
論文によると、中国ではEUVのレーザー光源、ウエハーステージ、光学システムなどの分野で各研究機関が個別に進展を遂げている。ただ、これらを完全な装置として統合することが課題で、次期「第15次5カ年計画」期間中に解決する必要があるとしている。
また電子設計自動化(EDA)ソフト、シリコンウエハーや電子ガスなど材料分野でもボトルネックがあり、国家レベルでの調整が必要だと指摘した。
中国政府は5日に公表した政府活動報告で、半導体を航空宇宙、バイオテクノロジー、低空経済と並ぶ新興産業の中核と位置付けた。
ただ、政府の5カ年計画では露光装置への具体的言及はなく、「先端プロセスの製造能力を高め、重要設備や材料、部品の開発を加速する」とするにとどまった。
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