AI向けの高性能メモリーを巡り、業界の構図に大きな変化が生じている。市場を二分する韓国SKハイニックスとサムスン電子は、すでに次世代品でも火花を散らしている。
次世代品の年内量産で巻き返し狙うサムスン
半導体メモリー世界トップの座を巡り、サムスン電子とSKハイニックスの2大韓国メーカーが激しく火花を散らしている。両社の間ではこれまで長く「絶対王者のサムスンとその背中を追うSK」という構図が定着していたが、足元ではAI（人工知能）向けの高性能メモリーである「HBM」（広帯域幅メモリー）市場の急拡大を契機として、そのパワーバランスに大きな変化が生じている。
HBM（High Bandwidth Memory＝広帯域幅メモリー）とは HBMとはDRAM（一時記憶用半導体）の一種で、AI（人工知能）の計算処理に必要な膨大なデータを迅速・効率的に供給するという重要な役割を果たしている。メモリーチップを縦方向にいくつも積み重ねた構造で、各層の間をTSV（シリコン貫通電極）と呼ばれる高密度の配線で接続し、さらに最下層にはメモリーチップの動作を制御するためのロジックチップが配置されている（上図参照）。 HBMを例えるなら、データが住む高層マンション（積層メモリー）に何台もの高速エレベーター（TSV）を配置し、1階にはすべての住人の移動スケジュールを最適にアレンジしてくれるコンシェルジュ（ロジックチップ）が常駐していると考えれば分かりやすい。この構造により、HBMは従来型のメモリーと比べると、面積当たりの記憶容量が格段に大きく、かつデータの高速・大量処理が可能となっている。 例えば、現行の最新世代「HBM3E」の場合、最大12枚のメモリーチップが積層され、データの入出力を行う配線の数は1024本、1秒当たりに伝送可能なデータ量（帯域幅）は最大1.2テラバイト（テラは1兆倍）にも及ぶ。従来型メモ…
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週刊エコノミスト
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